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SCTWA60N120G2-4 ST(意法半导体) TO-247-4 20k现货供应，陈丹丹13528438344
发布时间： 2024/7/27 12:08:42 | 37 次阅读
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制造商: STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS: 详细信息
商标: STMicroelectronics
通道模式: Enhancement
合规: Done
配置: Single
下降时间: 14 ns
Id-连续漏极电流: 60 A
zui大工作温度: %2B 200 C
zui小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole
通道数量: 1 Channel
封装 / 箱体: HiP-247-4
封装: Tube
Pd-功率耗散: 388 W
产品类型: SiC MOSFETS
Qg-栅极电荷: 94 nC
Rds On-漏源导通电阻: 52 mOhms
上升时间: 15 ns
600
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管极性: N-Channel
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, %2B 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
单位重量: 6.080 g
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制造商: STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS: 详细信息
商标: STMicroelectronics
通道模式: Enhancement
合规: Done
配置: Single
下降时间: 14 ns
Id-连续漏极电流: 60 A
zui大工作温度: %2B 200 C
zui小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole
通道数量: 1 Channel
封装 / 箱体: HiP-247-4
封装: Tube
Pd-功率耗散: 388 W
产品类型: SiC MOSFETS
Qg-栅极电荷: 94 nC
Rds On-漏源导通电阻: 52 mOhms
上升时间: 15 ns
600
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管极性: N-Channel
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, %2B 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
单位重量: 6.080 g