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深圳市天卓伟业电子有限公司
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ZXMN7A11KTC DIODES(美台) TO-252(DPAK) 20K现货供应，咨询了解陈丹丹13528438344
发布时间： 2024/1/13 19:27:26 | 33 次阅读
咨询了解陈丹丹13528438344
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制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 70 V
Id-连续漏极电流: 6.1 A
Rds On-漏源导通电阻: 130 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 7.4 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 8.5 W
通道模式: Enhancement
系列: ZXMN7A
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
下降时间: 5.8 ns
高度: 2.39 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 2 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 11.5 ns
典型接通延迟时间: 1.9 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 330 mg
咨询了解陈丹丹13528438344
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制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 70 V
Id-连续漏极电流: 6.1 A
Rds On-漏源导通电阻: 130 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 7.4 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 8.5 W
通道模式: Enhancement
系列: ZXMN7A
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
下降时间: 5.8 ns
高度: 2.39 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 2 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 11.5 ns
典型接通延迟时间: 1.9 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 330 mg