- IC型号
企业档案
- 相关证件: 
- 会员类型:普通会员
- 地址:深圳市福田区中航路华强广场A座16
- 传真:0755-83290789
- E-mail:3004217962@qq.com
IPB80N06S2-H5 Infineon(英飞凌) TO-263-3 20K现货供应,深圳市天卓伟业
发布时间: 2023/5/6 19:13:31 | 127 次阅读
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 5.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 22 ns
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 23 ns
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 48 ns
典型接通延迟时间: 23 ns
宽度: 9.25 mm
零件号别名: SP000218162 IPB80N06S2H5ATMA1
单位重量: 4 g
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 5.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 22 ns
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 23 ns
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 48 ns
典型接通延迟时间: 23 ns
宽度: 9.25 mm
零件号别名: SP000218162 IPB80N06S2H5ATMA1
单位重量: 4 g