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IPT010N08NM5ATMA1 Infineon(英飞凌) HSOF-8 50k现货供应， 陈丹丹13528438344
发布时间： 2023/12/23 15:02:11 | 94 次阅读
咨询了解陈丹丹13528438344
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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HSOF-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 425 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.05 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.8 V
Qg-栅极电荷: 178 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 375 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 30 ns
正向跨导 - zui小值: 120 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 31 ns
2000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 82 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
零件号别名: IPT010N08NM5 SP005560711
单位重量: 771.020 mg
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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HSOF-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 425 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.05 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.8 V
Qg-栅极电荷: 178 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 375 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 30 ns
正向跨导 - zui小值: 120 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 31 ns
2000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 82 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
零件号别名: IPT010N08NM5 SP005560711
单位重量: 771.020 mg